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アイテム
シリコン単結晶基板への電気化学的リチウム挿入/脱離過程の追跡 [学位論文内容の要旨/学位論文審査の要旨/日本語要旨/外国語要旨]
http://hdl.handle.net/10083/59552
http://hdl.handle.net/10083/595529bcbfa25-a8c0-4ccc-b3c1-621ffe626408
名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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Item type | 学位論文 / Thesis or Dissertation(1) | |||||
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公開日 | 2016-06-24 | |||||
タイトル | ||||||
言語 | ja | |||||
タイトル | シリコン単結晶基板への電気化学的リチウム挿入/脱離過程の追跡 [学位論文内容の要旨/学位論文審査の要旨/日本語要旨/外国語要旨] | |||||
タイトル | ||||||
言語 | en | |||||
タイトル | Electrochemical lithiation/delithiation process of single crystalline silicon substrate | |||||
言語 | ||||||
言語 | jpn | |||||
資源タイプ | ||||||
資源 | http://purl.org/coar/resource_type/c_db06 | |||||
タイプ | doctoral thesis | |||||
著者 |
青木, 菜々
× 青木, 菜々× あおき, なな× AOKI, Nana |
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内容記述 | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | お茶の水女子大学人間文化創成科学研究科博士(理学)学位論文・平成28年3月23日授与(甲第196号) | |||||
書誌情報 |
発行日 2016-03-23 |
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フォーマット | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | application/pdf | |||||
フォーマット | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | application/pdf | |||||
フォーマット | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | application/pdf | |||||
フォーマット | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | application/pdf | |||||
形態 | ||||||
81827 bytes | ||||||
形態 | ||||||
114452 bytes | ||||||
形態 | ||||||
536440 bytes | ||||||
形態 | ||||||
492287 bytes | ||||||
出版タイプ | ||||||
出版タイプ | VoR | |||||
出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
著者版フラグ | ||||||
値 | publisher | |||||
出版者 | ||||||
出版者 | お茶の水女子大学 | |||||
資源タイプ | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | 学位論文 | |||||
資源タイプ・ローカル | ||||||
学位論文 | ||||||
資源タイプ・NII | ||||||
Thesis or Dissertation | ||||||
資源タイプ・DCMI | ||||||
text | ||||||
資源タイプ・ローカル表示コード | ||||||
02 | ||||||
学位名 | ||||||
学位名 | 博士(理学) | |||||
学位授与機関 | ||||||
学位授与機関識別子Scheme | kakenhi | |||||
学位授与機関識別子 | 12611 | |||||
学位授与機関名 | お茶の水女子大学 | |||||
学位授与年月日 | ||||||
学位授与年月日 | 2016-03-23 | |||||
学位授与番号 | ||||||
学位授与番号 | 甲第000196号 |